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半导体真空共晶炉厂家-高精度真空共晶炉 晨立专业定制 工艺指导
产品标签 | 真空焊接炉多仓 IGBT真空炉 真空共晶炉多层 半导体高真空炉 高真空共晶炉
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¥33.8万
1 - 2
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≥3
设备技术指标
1、使用温度:400℃
2、有效焊接面积:405*540mm
3、控制精度:±1℃
4、工艺气体:氮气+甲酸
5、控温仪表:采用日本欧姆龙高精度温度控制仪
6、结构形式:卧式(方箱式),外壳喷涂计算机灰
7、设备供电:三相四线 AC380V/50HZ 55KW
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